Tranzistor N-MOSFET STP4NK60ZFP s maximálním napětím 600V a proudem 4A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET 2SK3567 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 3,5A v pouzdru TO220FP
Tranzistor STFH13N60M2 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 600V a proudem 11A v pouzdru TO220FP
Tranzistor IRFI3205PBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 64A v pouzdru TO220FP
Tranzistor STP10NK60ZFP od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 600V a proudem 10A v pouzdru TO220FP
Tranzistor FQPF7N60 od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 600V a proudem 4,3A v pouzdru TO220FP
Tranzistor STP10NK80ZFP od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 800V a proudem 6A v pouzdru TO220FP
Tranzistor STP75NF75FP od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 75V a proudem 80A v pouzdru TO220FP
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 14A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247.
Tranzistor N-MOSFET s napětím 650V, proudem 13A a výkonem 52W v pouzdru TO-220-3 od výrobce Transphorm
Tranzistor PNP (Darlington) s napětím 100V, proudem 8A a výkonem 70W v pouzdru TO-220 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 80A a výkonem 300W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 13A v pouzdru TO252 od výrobce Vishay
Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 8,5A a výkonem 2,5W v pouzdru SO8 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 64A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon