Tranzistor PNP (Darlington) s napětím 100V, proudem 8A a výkonem 70W v pouzdru TO-220 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET s napětím 60V a proudem 120A v pouzdru TO220 od výrobce International Rectifier
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 64A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s napětím 500V, proudem 17A a výkonem 190W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET s napětím 40V, proudem 250A a výkonem 230W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon
Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 175A a výkonem 330W v pouzdru TO-220AB od výrobce Infineon
Tranzistor PNP s maximálním napětím 230V a proudem 1A v pouzdru TO220
Tranzistor NPN s maximálním napětím 400V a proudem 4A v pouzdru TO220
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 130A v pouzdru TO220-3 od výrobce IXYS
Tranzistor N-MOSFET s napětím Drain-Source do 100V a proudem Drainu do 80A v pouzdru TO220
Tranzistor BUZ78 od výrobce ISC s maximálním napětím 800V a proudem 1,5A v pouzdru TO220
Tranzistor BDW93C od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 100V a proudem 12A v pouzdru TO220
Tranzistor TIP132 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 100V a proudem 8A v pouzdru TO220
Tranzistor BDX33C od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 100V a proudem 10A v pouzdru TO220
Tranzistor BDX53C od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 100V a proudem 8A v pouzdru TO220
Tranzistor BU931T od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 500V a proudem 15A v pouzdru TO220