Tranzistor IRFI3205PBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 64A v pouzdru TO220FP
Tranzistor N-MOSFET STP4NK60ZFP s maximálním napětím 600V a proudem 4A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET 2SK3567 od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 3,5A v pouzdru TO220FP
Tranzistor STP10NK60ZFP od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 600V a proudem 10A v pouzdru TO220FP
Tranzistor STFH13N60M2 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 600V a proudem 11A v pouzdru TO220FP
Tranzistor FQPF7N60 od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 600V a proudem 4,3A v pouzdru TO220FP
Tranzistor STP10NK80ZFP od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 800V a proudem 6A v pouzdru TO220FP
Tranzistor STP75NF75FP od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 75V a proudem 80A v pouzdru TO220FP
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 14A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor PNP 2SA1106 s maximálním napětím 140V a proudem 10A v pouzdru TO3PN od výrobce Sanken
Tranzistor NPN s maximálním napětím 120V a proudem 25A v pouzdru TO3P od výrobce NTE
Tranzistor PNP s maximálním napětím 120V a proudem 25A v pouzdru TO3P od výrobce NTE
Tranzistor NPN s maximálním napětím 100V a proudem 8A v pouzdru TO3 od výrobce Tesla
Dvojitý tranzistor N-mosfet + P-mosfet s maximálním napětím 12/-12V a proudem 5,6/-3,8A v pouzdru U-DFN2020-6 od výrobce Diodes
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247.
Bipolární tranzistor PNP; UCE 120V; IC 30A; výkon 200W; pouzdro TO3.