Tranzistor PNP 2SA1106 s maximálním napětím 140V a proudem 10A v pouzdru TO3PN od výrobce Sanken
Tranzistor N-MOSFET s napětím 600V, proudem 20A a výkonem 150W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Tranzistor P-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Tranzistor NPN 2SC2581 s maximálním napětím 140V a proudem 10A v pouzdru TO3PN od výrobce Sanken
Tranzistor FDA18N50 od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 500V a proudem 19A v pouzdru TO3PN
Tranzistor 2SC3680 od výrobce SavantIC Semiconductor s maximálním napětím 800V a proudem 7A v pouzdru TO3PN
Tranzistor 2SD1391 od výrobce SavantIC Semiconductor s maximálním napětím 700V a proudem 5A v pouzdru TO3PN
Tranzistor PNP s maximálním napětím 120V a proudem 25A v pouzdru TO3P od výrobce NTE
Tranzistor NPN s maximálním napětím 120V a proudem 25A v pouzdru TO3P od výrobce NTE
Tranzistor NPN s maximálním napětím 100V a proudem 8A v pouzdru TO3 od výrobce Tesla
Dvojitý tranzistor N-mosfet + P-mosfet s maximálním napětím 12/-12V a proudem 5,6/-3,8A v pouzdru U-DFN2020-6 od výrobce Diodes
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247.
Bipolární tranzistor PNP; UCE 120V; IC 30A; výkon 200W; pouzdro TO3.
Tranzistor N-MOSFET s napětím 650V, proudem 13A a výkonem 52W v pouzdru TO-220-3 od výrobce Transphorm
Tranzistor P-MOSFET dvojitý s napětím 30V, proudem 4,9A a výkonem 2W v pouzdru SO8 od výrobce Infineon