Tranzistor N-MOSFET s napětím 600V, proudem 20A a výkonem 150W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Tranzistor PNP 2SA1106 s maximálním napětím 140V a proudem 10A v pouzdru TO3PN od výrobce Sanken
Tranzistor N-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Tranzistor P-MOSFET s napětím 180V, proudem 10A a výkonem 120W v pouzdru TO3PN od výrobce Toshiba
Tranzistor FDA18N50 od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 500V a proudem 19A v pouzdru TO3PN
Tranzistor NPN 2SC2581 s maximálním napětím 140V a proudem 10A v pouzdru TO3PN od výrobce Sanken
Tranzistor 2SD1391 od výrobce SavantIC Semiconductor s maximálním napětím 700V a proudem 5A v pouzdru TO3PN
Tranzistor 2SC3680 od výrobce SavantIC Semiconductor s maximálním napětím 800V a proudem 7A v pouzdru TO3PN
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247.
Tranzistor PNP (Darlington) s napětím 100V, proudem 8A a výkonem 70W v pouzdru TO-220 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 80A a výkonem 300W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET s napětím 650V, proudem 13A a výkonem 52W v pouzdru TO-220-3 od výrobce Transphorm
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 13A v pouzdru TO252 od výrobce Vishay
Tranzistor N-MOSFET s napětím 30V, proudem 8,5A a výkonem 2,5W v pouzdru SO8 od výrobce ON Semiconductor
Tranzistor N-MOSFET s napětím 500V, proudem 17A a výkonem 190W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor N-MOSFET s maximálním napětím 55V a proudem 64A v pouzdru TO220AB od výrobce Infineon