Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 13A v pouzdru TO252 od výrobce Vishay
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím D-S 30V a proudem 160A v pouzdru DPAK
Tranzistor NTD24N06LG s maximálním napětím 60V a proudem 24A v pouzdru DPAK
Tranzistor N-MOSFET IPD031N06L3 s maximálním napětím 60V a proudem 100A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Tranzistor IRLR3410PBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 100V a proudem 15A v pouzdru DPAK
Tranzistor IPD034N06N3GATMA1 od výrobce Infineon s maximálním napětím 60V a proudem 100A v pouzdru DPAK
Tranzistor IRFR5305PBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 55V a proudem 28A v pouzdru DPAK
Tranzistor TK8P60W,RVQ od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 8A v pouzdru DPAK
Tranzistor FQD18N20V2TM od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 200V a proudem 15A v pouzdru DPAK
Tranzistor AUIRLR2905Z od výrobce International Rectifier s maximálním napětím 55V a proudem 60A v pouzdru DPAK
Tranzistor IRLR2905TRPBF od výrobce International Rectifier s maximálním napětím 55V a proudem 42A v pouzdru DPAK
Tranzistor AUIRLR3705Z od výrobce International Rectifier s maximálním napětím 55V a proudem 89A v pouzdru DPAK
Tranzistor AOD2910 od výrobce Alpha & Omega Semiconductor s maximálním napětím 100V a proudem 21,5A v pouzdru DPAK
Usměrňovací rychlá dioda s maximálním napětím 1200V a proudem 10A
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247.
Tranzistor N-MOSFET s napětím 55V, proudem 80A a výkonem 300W v pouzdru TO-220-3 od výrobce STMicroelectronics