Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 14A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor PNP s maximálním napětím 230V a proudem 1A v pouzdru TO220
Tranzistor NPN s maximálním napětím 400V a proudem 4A v pouzdru TO220
Tranzistor N-mosfet s maximálním napětím 100V a proudem 130A v pouzdru TO220-3 od výrobce IXYS
Tranzistor N-MOSFET s napětím Drain-Source do 100V a proudem Drainu do 80A v pouzdru TO220
Tranzistor BUZ78 od výrobce ISC s maximálním napětím 800V a proudem 1,5A v pouzdru TO220
Tranzistor BDX53C od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 100V a proudem 8A v pouzdru TO220
Tranzistor TIP122 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 100V a proudem 5A v pouzdru TO220
Tranzistor BDX33C od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 100V a proudem 10A v pouzdru TO220
Tranzistor BDW93C od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 100V a proudem 12A v pouzdru TO220
Tranzistor BU931T od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 500V a proudem 15A v pouzdru TO220
Tranzistor TIP132 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 100V a proudem 8A v pouzdru TO220
Tranzistor TIP121 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 80V a proudem 5A v pouzdru TO220
Tranzistor TIP120 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 60V a proudem 5A v pouzdru TO220
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 32A v pouzdru TO220 od Infineon
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 20A v pouzdru TO220 od IXYS