Tranzistor N-MOSFET s napětím 650V a proudem 68A v pouzdru TO247 od výrobce STMicroelectronics
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247.
Tranzistor IGBT IHW30N160R2 (H30R1602) s maximálním napětím 1600V a proudem 30A v pouzdru TO247-3 od výrobce Infineon
Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 40A v pouzdru TO247.
Tranzistor IGBT s max. napětím 600V a proudem 55A v pouzdru TO247.
Tranzistor TIP142G od výrobce ON Semiconductor s maximálním napětím 100V a proudem 10A v pouzdru TO247-3
Tranzistor TIP142 od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 100V a proudem 10A v pouzdru TO247
Tranzistor G25N120 s maximálním napětím 1200V a proudem 50A v pouzdru TO247
Tranzistor IHW15N120R3 (H15R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3
Tranzistor IHW20N120R3 (H20R1203) od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 40A v pouzdru TO247
Tranzistor IGW50N60H3 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 50A v pouzdru TO247-3
Tranzistor IHW40N60RF od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 80A v pouzdru TO247-3
Tranzistor IRG4PH40UPBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 41A v pouzdru TO247
Tranzistor IKW15N120H3 od výrobce Infineon s maximálním napětím 1200V a proudem 30A v pouzdru TO247-3
Tranzistor IGW40N60H3 od výrobce Infineon s maximálním napětím 600V a proudem 80A v pouzdru TO247-3
Tranzistor STW11NK100Z od výrobce STMicroelectronics s maximálním napětím 1000V a proudem 8,3A v pouzdru TO247