Usměrňovací rychlá dioda s maximálním napětím 1200V a proudem 10A
Usměrňovací dioda D8010L s maximálním napětím 800V a proudem 10A
Usměrňovací dioda s maximálním napětím 1000V a proudem 10A
Usměrňovací rychlá dioda s maximálním napětím 600V a proudem 30A
Schottkyho usměrňovací dioda s maximálním napětím 1200V a proudem 5A
Schottkyho dioda se závěrným napětím 40V a maximálním proudem 3A v pouzdře SMC.
Schottkyho usměrňovací dioda s maximálním napětím 1200V a proudem 2A
Usměrňovací dioda US2MBF s maximálním napětím 1000V a proudem 2A
Standardní univerzální dioda SM5408 v pouzdru MELF plastic s maximálním napětím 1000V
Tranzistor P-mosfet s maximálním napětím 60V a proudem 13A v pouzdru TO252 od výrobce Vishay
Tranzistor N-MOSFET s max. napětím D-S 30V a proudem 160A v pouzdru DPAK
Tranzistor NTD24N06LG s maximálním napětím 60V a proudem 24A v pouzdru DPAK
Tranzistor N-MOSFET IPD031N06L3 s maximálním napětím 60V a proudem 100A v pouzdru DPAK od výrobce Infineon
Tranzistor IRLR3410PBF od výrobce Infineon s maximálním napětím 100V a proudem 15A v pouzdru DPAK
Tranzistor IPD034N06N3GATMA1 od výrobce Infineon s maximálním napětím 60V a proudem 100A v pouzdru DPAK
Tranzistor TK8P60W,RVQ od výrobce Toshiba s maximálním napětím 600V a proudem 8A v pouzdru DPAK